Les relais haute tension (HT) à base d'IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) jouent un rôle crucial dans les systèmes électriques et électroniques modernes, notamment dans les applications industrielles et les systèmes de gestion de l'énergie. Ces dispositifs de commutation permettent de contrôler des circuits à haute tension avec une grande précision et une efficacité accrue, tout en garantissant une fiabilité maximale. Cette technologie, combinant les avantages des transistors bipolaires et des transistors à effet de champ, est désormais largement utilisée pour des applications exigeant des performances de commutation élevées, telles que la gestion des moteurs industriels, la conversion d'énergie, et la transmission de puissance.